在手机、电脑、可穿戴设备等各种智能终端中，存储器是用于保存信息的“大脑”。但自2016年第四季度以来，存储器市场供给吃紧的市况便一直延续至今，两大主流存储器类别DRAM和NANDFlash价格也因此而水涨船高，即使是处于传统淡季期间，价格依然有不同程度的涨幅。
根据集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）此前的研究结果显示，第二季度行动式内存价格小幅上涨5%，标准型内存与服务器用内存价格上涨逾10%，而NANDFlash各产品线合约价季增长水平也在3-10%左右。
尽管存储器价格一直居高不下，但目前各大厂商却暂无建厂扩产的计划，而是将重点转进先进制程。尤其是鉴于此前三星18纳米和美光17纳米制程PCDRAM存储器模组均被爆出良率问题，因此，提升产品良率便成为了DRAM厂商们当前的首要任务。
DRAM厂商注制程转换
从现阶段的技术发展而言，韩国的三星电子依然于其他竞争对手，18纳米制程良率已经进入稳定状况，预计今年年底将有约一半的DRAM产品将采用18纳米制程。
而美光的17纳米良率也逐渐趋于稳定，预计年底将有80%以上的产出采用该制程。不过台湾美光晶圆科技（原华亚科）则暂无制程转进计划，而是将今年的首要目标设定在提升20纳米制程良率方面，但计划明年将有不低于的一半的产能转进至17纳米制程。
此外，韩国另一大存储器厂商SK海力士今年则将目标放在21纳米制程良率的提升和占比，至于18纳米制程，按照SK海力士的规划，预计将在今年年底实现规模产，明年上半年可提升产规模。
台湾DRAM厂商方面，以南亚科、力晶、以及华邦电为代表的厂商在制程转换进度方面虽不及上述三大厂商，但也在努力加速技术制程的转进。
其中南亚科的20纳米制程已经正式导入产，预计年底将实现每月30K的投片规模，力晶目前在进行25纳米制程设备的转移，而华邦电预计其38纳米新制程可在今年下半年正式进入产阶段，后续可为华邦电贡献营收。
各大厂商的发展现状表明，DRAM市场供给吃紧的态势将延续至今年下半年。DRAMeXchange的数据也显示，2017年7月份DRAM合约价持续上涨约4.6%，预计第三季度将持续攀高，下半年价格也仍将维持小幅的上涨态势。
存储器三巨头展示国内存储新技术
2017年10月25-27日在上海举办的ICChina2017聚集了长江存储、晋华存储、佰威存储国内三大巨头。
长江存储科技已经研发出了国产32层堆栈的3DNAND闪存，预计2018-2019年间产，此外还在开发更先进的64层堆栈产品。2020年技术上有望赶超先进水平。解决了NAND芯片之后，长江存储下一步就要积极进军DRAM内存领域了，1月份开始担任长江存储执行副董的高启全日前对外表示长江存储已经组建了500多人的研发队伍，正在研发自己的DRAM制造技术，报道还称国产DRAM很有可能直接进入20/18nm先进工艺时代。
晋华存储器集成电路生产项目就坐落在泉州晋江的集成电路产园，由福建省电子信息集团和泉州、晋江两级政府共同投建，总规划面积594亩，一期投资370亿元，建设内容包括晶圆制造、产链配套等，预计2018年9月形成月产6万片12寸先进制程内存晶圆的生产规模。项目建成后将填补我国主流存储器领域空白。据悉，作为国家重点支持的DRAM存储器生产项目，晋华项目已纳入国家“十三五”集成电路重大生产力布局规划重大项目清单，并获得国家项建设基金支持。
作为存储和封测企的代表，BIWIN佰维携存储解决方案和封测解决方案亮相展会。如你所知，科技产品如何变化创新，存储都是必须的硬件配置，而小型化、集成化又是智能硬件的必然趋势，而这就是BIWIN要做的注存储与电子产品微型化——为您的创新产品提升新价值！
在半导体产上升为国家战略的大背景下，我国芯片产链上的企发展前景值得期待。
十月聚焦上海探寻未来存储器产发展机遇
为帮助产界人士更加深入、全面地了解存储器厂商目前的技术研发动态和未来发展趋势、以及半导体设计、封装、测试、物联网、MCU、智能制造和智能网联等前沿应用市场，权威咨询机构集邦咨询将携手IC China于10月26日在上海“第十五届中国半导体博览会暨高峰论坛（IC China2017）”展会期间举办“2018高科技产发展大预测”会议。
据悉，集邦咨询将针对此次大预测会议集结旗下DRAMeXchange、WitsView、拓墣等研究部门的产分析师，以“2018年科技产发展”为主题，结合宏观经济环境、产细分市场及技术趋势演变动态，深度分析2018年各电子科技产发展驱动因素，为产及企同步提供前期战略性规划参考。
作为电子信息产的核心，半导体产的发展成果决定其他产的发展速度。2017中国半导体产全年发展成果如何？我们期待与您在10月26上海的IC China2017现场共同揭晓！
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