NPO电容器 （高频电容）
NPO是一种常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容和介损耗稳定的电容器。在温度从-55℃到+125℃时容变化为0±30PPM/℃，电容随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容和介损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容范围。
封 装 DC="50V" DC="100V"
0805 0.5---1000PF 0.5---820PF
1206 0.5---1200PF 0.5---1800PF
1210 560---5600PF 560---2700PF
2225 1000PF---0.033μF 1000PF---0.018μF
NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。gV0电封选13器-O务阻.D6F X7R电容器
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容变化为15%，需要注意的是此时电容器容变化是非线性的。
X7R电容器的容在不同的电压和频率条件下是不同的，它也间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工应用，而且当电压变化时其容变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容范围。
封 装 DC="50V" DC="100V"
0805 330PF---0.056μF 330PF---0.012μF
1206 1000PF---0.15μF 1000PF---0.047μF
1210 1000PF---0.22μF 1000PF---0.1μF
2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μFlF器封0选供的℃路5电配P容R. Y5V电容器
Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容变化可达+22%到-82%。
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。
Y5V电容器的取值范围如下表所示
封 装 DC="25V" DC="50V"
0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF
1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF
1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF
2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF
Y5V电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围 -30℃ --- +85℃
温度特性 +22% ---- -82%
介损耗 大 5%高0要阻P有子2频电051-到-D0
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