贴片电容全称：多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容，片容。英文缩写：MLCC。
本概述
贴片电容(多层片式陶瓷电容器)是目前用比较大的常用元件，AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。下面我们仅常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册
尺寸
贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴片电容的系列型号有0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2010、2225、2512，是英寸表示法，04 表示长度是0.04 英寸，02 表示宽度0.02 英寸，其他类同型号尺寸（mm）
英制尺寸 公制尺寸 长度及公差 宽度及公差 厚度及公差
0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05
0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10
0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20 1.00±0.20 1.25±0.20
1206 3216 3.00±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20 1.00±0.20 1.25±0.20
1210 3225 3.00±0.30 2.54±0.30 1.25±0.30 1.50±0.30
1808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.00
1812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.50
2225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.50
3035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00
命名
贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材、要求达到的精度、要求的电压、要求的容、端头的要求以及包装的要求。一般订购贴片电容需提供的参数要有尺寸的大小、要求的精度、电压的要求、容值、以及要求的即可。
例风华系列的贴片电容的命名：
0805CG102J500NT 0805：是指该贴片电容的尺寸套小，是用英寸来表示的08表示长度是0.08英寸、05 表示宽度为 0.05 英寸 CG ：是表示做这种电容要求用的材，这个材一般适合于做小于10000PF以下的电容，102：是指电容容，前面两位是有效数字、后面的2 表示有个零102=10×102 也是= 1000PF
J：是要求电容的容值达到的误差精度为5%，介材料和误差精度是配对的 500：是要求电容承受低压为50V 同样500前面两位是有效数字，后面是指有个零。 N：是指端头材料，现在一般的端头都是指三层电极（银/铜层）、镍、锡 T：是指包装方式，T 表示编带包装，B表示塑料盒散包装 贴片电容的颜，常规见得多的是比纸板箱浅一点的黄，和青灰，这在具体的生产过程中会有产生不同差异贴片电容上面没有印字，这是和他的制作工艺有关（贴片电容是经过高温结面成，所以没办法在它的表面印字），而贴片电阻是丝印而成（可以印刷标记）。
贴片电容有中高压贴片电容和普通贴片电容，系列电压有6.3V、10V、16V、25V、50V、100V、200V、500V、1000V、2000V、3000V、4000V贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴片电容系列的型号有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010、2225等。 贴片电容的材料常规分为三种，NPO,X7R,Y5V NPO此种材电性能稳定，几乎不随温度，电压和时间的变化而变化，适用于低损耗，稳定性要求要的高频电路。
容精度在5%左右，但选用这种材只能做容较小的，常规100PF 以下，100PF- 1000PF也能生产但价格较高 X7R 此种材比NPO 稳定性差，但容做的比NPO 的材料要高，容精度在10%左右。 Y5V此类介的电容，其稳定性较差，容偏差在20%左右，对温度电压较敏感，但这种材能做到很高的容，而且价格较低，适用于温度变化不大的电路中。
封装
贴片电容：可分为无极性和有极性两类，无极性电容下述两类封装为常见，即0805、0603；而有极性电容也是我们平时所称的电解电容，一般我们平时用的多的为铝电解电容，由于其电解为铝，所以其温度稳定性以及精度都不是很高，而贴片元件由于其紧贴电路版，所以要求温度稳定性要高，所以贴片电容以钽电容多，根据其耐压不同，贴片电容又可分为A、B、C、D四个系列，具体分类如下：
类型封装形式耐压
A 3216 10V
B 3528 16V
C 6032 25V
D 7343 35V
分类
贴片电容的分类
一 NPO电容器
二 X7R电容器
三 Z5U电容器
四 Y5V电容器
区别：NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介不同。在相同的体积下由于填充介不同所组成的电容器的容不同，随之带来的电容器的介损耗、容稳定性等也不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
NPO电容器
NPO是一种常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容和介损耗稳定的电容器。在温度从-55℃到 125℃时容变化为0±30ppm/℃，电容随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容和介损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容范围。
封 装 DC=50V DC=100V
0805 0.5---1000pF 0.5---820pF
1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF
1210 560---5600pF 560---2700pF
2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF
NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。
X7R电容器
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到125℃时其容变化为15%，需要注意的是此时电容器容变化是非线性的。
X7R电容器的容在不同的电压和频率条件下是不同的，它也间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工应用，而且当电压变化时其容变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容范围。
封 装 DC=50V DC=100V
0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF
1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF
1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF
2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF
Z5U电容器
Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有大的电容。但它的电容受环境和工作条件影响较大，它的老化率大可达每10年下降5%。
尽管它的容不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。
封 装 DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF
1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF
1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF
2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF
Z5U电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围10℃ --- 85℃
温度特性 22% ---- -56%
介损耗 大 4%
Y5V电容器
Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容变化可达 22%到-82%。
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。
Y5V电容器的取值范围如下表所示
封 装 DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF
1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF
1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF
2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF
Y5V电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围 -30℃ --- 85℃
温度特性 22% ---- -82%
介损耗 大 5%
贴片电容器命名方法可到AVX网上找到。不同的公司命名方法可能略有不同。
作用
电路中的作用
在直流电路中，电容器是相当于断路的。 电容器是一种能够储藏电荷的元件，也是常用的电子元件。
这得从电容器的结构上说起。简单的电容器是由两端的极板和中间的绝缘电介（包括空气）构成的。通电后，极板带电，形成电压（电势差），但是由于中间的绝缘物，所以整个电容器是不导电的。不过，这样的情况是在没有超过电容器的临界电压（击穿电压）的前提条件下的。我们知道，任何物都是相对绝缘的，当物两端的电压加大到一定程度后，物是都可以导电的，我们称这个电压叫击穿电压。电容也不例外，电容被击穿后，不是绝缘体了。不过在中学阶段，这样的电压在电路中是见不到的，所以都是在击穿电压以下工作的，可以被当做绝缘体看。
但是，在交流电路中，因为电流的方向是间成一定的函数关系变化的。而电容器充放电的过程是有时间的，这个时候，在极板间形成变化的电场，而这个电场也是间变化的函数。实际上，电流是通过场的形式在电容器间通过的。
在中学阶段，有句话，叫通交流，阻直流，说的是电容的这个性。
电容的作用:
1、旁路
旁路电容是为本地器件提供能的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。
像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽减少阻抗，旁路电容要尽靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地电位是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。
2、去耦
去耦，又称解耦。 从电路来说， 总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电， 才能完成的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上是一种噪声，会影响前级的正常工作，这是所谓的“耦合”。
去耦电容是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合。
将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去耦合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF等；而去耦合电容的容一般较大，可能是10μF或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入中的作为滤除对象，而去耦是把输出的作为滤除对象，防止返回电源。这应该是他们的本区别。
3、滤波
从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1μF的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。电容的作用是通高阻低，通高频阻低频。电容越大低频越容易通过。具体用在滤波中,大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流越大，从而缓冲了电压。滤波是充电，放电的过程。
4、储能
储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储弟通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150000μF 之间的铝电解电容器（如EPCOS 公司的B43504或B43505）是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式，对于功率级超过10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。