超高频感应区熔法晶体增长设备主要应用领域：区熔法晶体生长需要一根多晶棒和浇铸在模子里的掺杂物。籽晶熔合到棒的一端。夹持器装在单晶炉里。当高频线圈加热多晶棒和籽晶的界面时，多晶到单晶的转变开始了。线圈沿着多晶棒的轴移动，一点点把多晶棒加热到液相点。在每一个熔化的区域，原子排列成末端籽晶的方向。这样整个棒以开始籽晶的定向转变成一个单晶。目前，该超高频感应区熔法晶体增长设备是高熔点硼化物、碳化物、无机非金属氧化物晶体材料的生长主要设备。 采用阿卡德晶体增长装置的点：1． 高频开关变换技术解决了单晶硅磁场加热炉的振动和噪音问题，提高产品品，改善工作环境。2． 工作，比可控硅电源提高10%-20%，节电效果显著，提升客户竞争力；3． 采用IGBT高频开关变换和波形闭环控制技术，输出波形品高，相应速度快、动态性能好；4． 输出具有截流功能，并设计过载保护停机功能，能很好的保护加热炉，即使加热，炉在短路时也不会受到严重损坏；5． 模块化、冗余设计，在一个模块损坏时电源仍能工作在额定工况下，大大提高电源可靠性；6． 输出具有恒压、恒流、恒功率模式切换功能；进线电流同比减少约40%，可使用小截面积进线电缆；7．功率因数高，谐波电流小，是我公司拥有自主的的高因数单晶炉电源，用户无需再配补偿和滤波装置；8、原边调压，零电压软启动，整流变无空载损耗；调压可控硅发热少，使用寿命大大延长；9、电源柜体结构紧凑，占地面积小；风冷散热模式，解决了整流变压器散热问题。12、阿卡德通过对原有 18 英寸及 20 英寸单晶炉热场系统的加热温区梯度、加热器的材料、电阻加热器和保温材料温度传导性的研究，提出通过改变单晶炉热场抽气口、改变保护气体流动方向、设计新型辐射隔绝导流筒和重新选择加热器保温材料等方法，化了热场结构和温区梯度，开发出了低功耗和高拉速的节能型 18 英寸和 20 英寸热场装置。13、新型阿卡德单晶硅生产设备引晶功率已由原来的 75.2KW 降至 58.5KW，硅单晶生长周期已有原来的 47 小时降至 39小时 42 分钟，能耗降低 29.4%。据此对实施的 20 兆瓦单晶硅项目节能情况分析，引晶时单台炉子每小时节省 16.7Kw，一炉单晶硅生长周期按 40 小时计算，每炉可节省 668 度电左右，按 13 炉/月计算，单台炉子每年节省电能至少 104208 度，以电价 0.5 元/度计算，20 台炉子全年可节省电费 104.2 万元，该项研究成果既大大降低了生产能耗又降低了生产成本，达到节能降耗的理想目标。 应用案例：区熔单晶硅 区熔锗锭高熔点硼化物晶体材料 高熔点碳化物晶体材料无机非金属氧化物晶体材料
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