氮化铝陶瓷具有良的导热性（为氧化铝陶瓷的5-10倍），较低的介电常数和介损耗，可靠的绝缘性能，良的力学性能，无，耐高温，耐化学腐蚀，且与硅的热膨胀系数相近，作为新一代的陶瓷材料，越来越受到人们的关注和重视。我司生产的氮化铝陶瓷，品国内同类产品，具有水平，广泛应用于通讯器件、 高亮度LED、电力电子器件等行。 AlN陶瓷片主要性能指标 | 性能内容 | 性能指标 | 热导率(W/m·k） | ≥170 | 体积电阻率（Ω·cm） | ＞1013 | 介电常数[1MHz,25℃] | 9 | 介电损耗[1MHz,25℃] | 3.8х10-4 | 抗电强度(KV/mm) | 17 | 体积密度（g/cm3） | ≥3.30 | 表面粗糙度Ra(µm) | 0.3~0.5 | 热膨胀系数[20℃ to 300℃](10-6/℃) | 4.6 | 抗弯强度(MPa) | 320~330 | 弹性模(GPa) | 310~320 | 莫氏硬度 | 8 | 吸水率(%) | 0 | 翘曲度(~/25(长度)) | 0.03~0.05 | 熔点 | 2500 | 外观/颜 | 灰白 |
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