| | 国产，进口 | 型号 | 场效应管FGA25N120 | | 应用范围 | 微波 | 功率特性 | 中功率 | | 频率特性 | 高频 | 极性 | NPN型 | | 结构 | 面接触型 | 材料 | 硅(Si) | | 封装形式 | 直插型 | 封装材料 | 金属封装 | | 营销方式 | 厂家直销 | 产品性 | 热销 |
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。 对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、极b和集电极c。 当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于极电源Ebo。 在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于区的，同时区做得很薄，而且，要严格控制杂含，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）极区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度大于后者，所以通过发射结的电流本上是电子流，这股电子流称为发射极电流了。 由于区很薄,加上集电结的反偏，注入区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在区的空穴进行复合，被复合掉的区空穴由极电源Eb重新补给，从而形成了极电流Ibo.根据电流连续性原理得： Ie=Ib+Ic 这是说，在极补充一个很小的Ib，可以在集电极上得到一个较大的Ic，这是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即： β1=Ic/Ib 式中：β1--称为直流放大倍数， 集电极电流的变化△Ic与极电流的变化△Ib之比为： β= △Ic/△Ib 式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。 三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。 三极管放大时管子内部的工作原理 1、发射区向区发射电子 电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入区，形成发射极电流Ie。同时区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。 2、区中电子的扩散与复合 电子进入区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为区很薄）与区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。 3、集电区收集电子 由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
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