| 功耗 | 2A | 批号 | 13+ | | 材料 | 硅(SI) | 是否进口 | 否 | | 脚数 | 2 | 型号 | SS22 | | 产品类型 | 肖特管 | | TOSHIBA/东芝 | | 封装 | DO-214AC/SMA |
肖特二极管
肖特二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大的电子，贵金属中极少的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特势垒。
典型的肖特整流管第部电路结构是以N型半导体为片，在上面形成用作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子低压值。N型片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高倍。在片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型片和阳极金属之间便形成肖特势垒，如图所示。当在肖特势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型片接电源负极）时，肖特势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特势垒两端加上反向偏压时，肖特势垒层则变宽，其内阻变大。
综上所述，肖特整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。
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