贴片叠层瓷介电子器（SMD贴片电容）详细介绍： 贴片电容 全称：多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容，片容。英文缩写：MLCC。
本概述
贴片电容(多层片式陶瓷电容器)是目前用比较大的常用元件，AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。下面我们仅常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册
尺寸
贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴片电容的系列型号有0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2010、2225、2512，是英寸表示法， 04 表示长度是0.04 英寸，02 表示宽度0.02 英寸，其他类同型号尺寸（mm） 英制尺寸公制尺寸长度及公差宽度及公差厚度及公差 0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05 0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20 1.00±0.20 1.25±0.20 1206 3216 3.00±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20 1.00±0.20 1.25±0.20 1210 3225 3.00±0.30 2.54±0.30 1.25±0.30 1.50±0.30 1808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.00 1812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.50 2225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.50 3035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00
命名
贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材、要求达到的精度、要求的电压、要求的容、端头的要求以及包装的要求。一般订购贴片电容需提供的参数要有尺寸的大小、要求的精度、电压的要求、容值、以及要求的即可。 例风华系列的贴片电容的命名： 0805CG102J500NT 0805：是指该贴片电容的尺寸套小，是用英寸来表示的08 表示长度是0.08 英寸、05 表示宽度为 0.05 英寸 CG ：是表示做这种电容要求用的材，这个材一般适合于做小于10000PF以下的电容，102 ：是指电容容，前面两位是有效数字、后面的2 表示有多少个零102=10×102 也是= 1000PF J：是要求电容的容值达到的误差精度为5%，介材料和误差精度是配对的 500：是要求电容承受的耐压为50V 同样500 前面两位是有效数字，后面是指有多少个零。 N：是指端头材料，现在一般的端头都是指三层电极（银/铜层）、镍、锡 T：是指包装方式，T 表示编带包装，B 表示塑料盒散包装 贴片电容的颜色，常规见得多的是比纸板箱浅一点的黄，和青灰色，这在具体的生产过程中会有产生不同差异 贴片电容上面没有印字，这是和他的制作工艺有关（贴片电容是经过高温结面成，所以没办法在它的表面印字），而贴片电阻是丝印而成（可以印刷标记）。 贴片电容有中高压贴片电容和普通贴片电容，系列电压有6.3V、10V、16V、25V、50V、100V、200V、500V、1000V、2000V、3000V、 4000V 贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴片电容系列的型号有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010、2225 等。 贴片电容的材料常规分为三种，NPO,X7R,Y5V NPO 此种材电性能稳定，几乎不随温度，电压和时间的变化而变化，适用于低损耗，稳定性要求要的高频电路。 容精度在5%左右，但选用这种材只能做容较小的，常规100PF 以下，100PF- 1000PF 也能生产但价格较高 X7R 此种材比NPO 稳定性差，但容做的比NPO 的材料要高，容精度在10%左右。 Y5V 此类介的电容，其稳定性较差，容偏差在20%左右，对温度电压较敏感，但这种材能做到很高的容，而且价格较低，适用于温度变化不大的电路中。
封装
贴片电容：可分为无极性和有极性两类，无极性电容下述两类封装为常见，即0805、0603；而有极性电容也是我们平时所称的电解电容，一般我们平时用的多的为铝电解电容，由于其电解为铝，所以其温度稳定性以及精度都不是很高，而贴片元件由于其紧贴电路版，所以要求温度稳定性要高，所以贴片电容以钽电容为多，根据其耐压不同，贴片电容又可分为A、B、C、D 四个系列， 具体分类如下：类型封装形式耐压 A 3216 10V B 3528 16V C 6032 25V D 7343 35V
分类
贴片电容的分类 一 NPO电容器 二 X7R电容器 三 Z5U电容器 四 Y5V电容器 区别：NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介不同。在相同的体积下由于填充介不同所组成的电容器的容不同，随之带来的电容器的介损耗、容稳定性等也不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一 NPO电容器
NPO是一种常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是电容和介损耗稳定的电容器。在温度从-55℃到 125℃时容变化为0±30ppm/℃，电容随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容和介损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容范围。 封 装 DC=50V DC=100V 0805 0.5---1000pF 0.5---820pF 1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF 1210 560---5600pF 560---2700pF 2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。
二 X7R电容器
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到 125℃时其容变化为15%，需要注意的是此时电容器容变化是非线性的。 X7R电容器的容在不同的电压和频率条件下是不同的，它也间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工应用，而且当电压变化时其容变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容范围。 封 装 DC=50V DC=100V 0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF 1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF 1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF
三 Z5U电容器
Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有大的电容。但它的电容受环境和工作条件影响较大，它的老化率大可达每10年下降5%。 尽管它的容不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。 封 装 DC=25V DC=50V 0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF 1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF 1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF Z5U电容器的其他技术指标如下: 工作温度范围 10℃ --- 85℃ 温度特性 22% ---- -56% 介损耗 大 4%
四 Y5V电容器
Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容变化可达 22%到-82%。 Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。 Y5V电容器的取值范围如下表所示 封 装 DC=25V DC=50V 0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF 1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF 1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF 2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF Y5V电容器的其他技术指标如下: 工作温度范围 -30℃ --- 85℃ 温度特性 22% ---- -82% 介损耗 大 5% 贴片电容器命名方法可到AVX网上找到。不同的公司命名方法可能略有不同。 我们的注！是您放心的选择！欢迎联系咨询比价！ |
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